2月27日，据ZDNet报说念，三星电子决定增大其第六代10nm级（1c）DRAM芯片的尺寸，以同期升迁DRAM和HBM4的安定性。现在，三星正汇注元气心灵提高1c DRAM的良率，并加速霸占HBM4阛阓份额。

这一调度背后，是三星在HBM领域捏续加码的政策布局。本年2月初已有音讯裸露，三星筹画将1c DRAM产量升迁约170%，刻下月产能为7万片晶圆，后续将在京畿说念平泽第四工场部署新确立，目的是完结月产10万至12万片。此外，2月25日流露的信息标明，三星1c DRAM在高温测试环境下的良率已冲突80%，较2025年第四季度的60%—70%权贵升迁，天博体育app展望5月前后可达90%；基于1c DRAM的HBM4良率也已接近60%。

三星在HBM4上采选1c DRAM，相较于竞争敌手SK海力士和好意思光剿袭的第五代1b DRAM，在工艺代际上超越一代。与此同期，三星还运用自有晶圆代工智商，以4纳米工艺制造HBM4底部的逻辑芯片，旨在升迁合座性能与能效进展。

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华泰证券在2月26日发布的研报中指出，三星加速HBM4布局，导入1γnm制程、优化前端TSV结构，并剿袭4nm逻辑base die，力争重回时间超越梯队。

阛阓访谒机构Omdia数据裸露，三星电子在2025年第四季度以36.6%的阛阓份额重返宇宙DRAM阛阓首位，DRAM销售额达191.56亿好意思元，环比增长40.6%。此番通过增大芯片尺寸来改温情率和安定性，是三星巩固竞争上风、进一步扩大HBM4供应边界的又一举措。

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发布于：北京市

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