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2026-03-01

【三星电子拟增大DRAM尺寸以教训HBM4性能】《科创板日报》27日讯，三星电子正聚合元气心灵提高1c DRAM的良率，同期霸占HBM4商场份额。具体而言，三星

2026-03-01

2月27日，据ZDNet报说念，三星电子决定增大其第六代10nm级（1c）DRAM芯片的尺寸，以同期升迁DRAM和HBM4的安定性。现在，三星正汇注元气心灵提高

2026-02-28

累计干预超408亿，历时9年从行业空缺到众人第四，长鑫科技带着国产DRAM的突破，冲击科创板295亿募资。这场逆袭，真实能冲破三星等三巨头的把持吗？从“空缺”